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低阻型四探针检测仪可测量半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

发布时间2016-02-19        浏览次数:1449

 低阻型四探针检测仪/方阻仪/四探针电阻率检测仪  型号;KDK-KDY-1

仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
(2)范围:电阻率10-5~10+3欧姆·厘米,分辨率为10-5欧姆·厘米
方块电阻10-4~10+4欧姆/□,小分辨率为10-4欧姆/□
(3)可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等
可准确测量的半导体尺寸:直径≥20㎜


可测量的半导体尺寸:直径≥8㎜
(4)测量方式:平面测量。
(5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化
A.量程0~19.999 mV
B.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)
C.灵敏度:1uV
D输入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位数字显示,0~19999
(6)恒流源:
A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,有交流电源供给
B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档


 C.恒流源精度:各档均≤±0.05%
(7)四探针测试探头
A.探头间距1.59㎜
B.探针机械游率:±0.3%
C.探针直径0.8㎜
D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部分之间的缘电阻大于109欧姆。
(8)测试架:(选配)
手动测试架:KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200200(mm)。
(9)精度
电器精度:1-1000欧姆≤0.3 %
整机测量精度:1-100欧姆·厘米≤3%
(10)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗﹤35W

注:如果测金属粉末电阻率必把样品压成块或片才能测